KHW-08DB-C

克特霍尔传感器，也称为霍尔效应传感器。霍尔效应传感器是一种磁传感器，可以用于检测永久磁铁或电磁铁产生的磁场的强度和方向，其输出与所检测到的磁场强度成比例变化。

克特 霍尔传感器基于霍尔效应，该效应是指当电流通过存在磁场的导体时，会在导体两侧产生电压差。

克特霍尔传感器通常由霍尔元件和信号处理电路组成。霍尔元件是一种半导体器件，通常为平面片状或芯片状，具有不同类型的霍尔效应结构。当磁场作用于霍尔元件时，会在器件的侧边产生一个电势差，该电势差与磁场的强度成正比。

通过信号处理电路，可以将霍尔传感器输出的电压差转换为可用的电信号，例如电流或数字信号。这使得霍尔传感器在许多应用中都具有广泛的用途，如位置检测、接近开关、电流传感、转速测量等。

与其他传感器相比，霍尔传感器具有一些优点，例如快速响应速度、高精度、可靠性高、非接触耐磨损等。另外，霍尔传感器不受温度影响，因此在高温或低温环境下也能正常工作。密封的霍尔传感器对振动、尘埃和水都具有抗干扰能力。

克特霍尔效应传感器基本上由一片薄的矩形 p 型半导体材料组成，例如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）或砷化铟（InAs），通过自身通入连续电流。

      将霍尔传感器放置在磁场中时，磁通线对半导体材料施加力，使电子和空穴（电荷载体）偏离半导体薄片的两侧。这种电荷载体的运动是由于它们通过半导体材料时所经历的磁力。。

      当电子和空穴向侧面移动时，由于电荷载体的积累，在半导体材料的两侧产生了电位差。然后，电子在通过半导体材料时会受到垂直于其的外部磁场的影响，这种效应在平面矩形材料中更为明显。

      利用磁场产生可测量电压的效应被称为霍尔效应，该效应由于爱德温·霍尔在19世纪70年代发现，其基本物理原理是洛伦兹力。要在器件上产生电位差，磁通线必须与电流流动垂直（90度），并且具有正确的极性，通常是南极。

      霍尔效应可以提供有关磁极类型和磁场强度的信息。例如，南极会导致器件产生电压输出，而北极则不会产生影响。通常，霍尔效应传感器和开关设计成在没有磁场存在时处于“关断”（断路条件）。只有当受到足够强度和极性的磁场时，它们才会变为“导通”（闭路条件）。